Tianjin Feierde Metal Products crece junto a sus clientes clave.
Tiempo de liberación:
2024-12-31
2010: Establecimiento del mecanismo de operación del armario de conmutación seguro, línea de ensamblaje y prueba
2011: Suministro a granel a las fábricas de media tensión de ABB en Noruega y Nueva Zelanda
2016: Desarrollo exitoso de la carcasa inferior de acero inoxidable para la fábrica de Tianjin
2019: Mudanza a Wuqing, Tianjin
2021: Reubicación exitosa de la línea de mecanismos
2022: Se añadieron líneas de producción de mecanismos de aire seguro y 40.5
Artículo anterior
Artículo siguiente
Más noticias
Al comenzar el nuevo año, todo renace. El Valle Tecnológico Pekín-Tianjin, con una actitud de «arrancar con un sprint», ha hecho sonar la alarma para avanzar hacia un desarrollo de alta calidad. Un grupo de proyectos clave aprovecha plenamente la primavera y avanza a toda marcha, poniendo en práctica con hechos concretos las «Diez Acciones» para el desarrollo de alta calidad de la ciudad y la estrategia de trabajo «3+1+1» del Comité del Partido del distrito, contribuyendo activamente con mayores aportes al desarrollo de todo el distrito.
Visita de comunicación con el cliente noruego
La empresa Tianjin Feierde Metal Products Co., Ltd. dio la bienvenida a un grupo de distinguidos invitados de lejos: un equipo de clientes de Noruega. Esta visita de intercambio no solo profundiza y consolida la relación de cooperación a largo plazo entre ambas partes, sino que también sirve como una valiosa oportunidad para promover la integración cultural y ampliar las perspectivas internacionales.
¿Qué es el proceso de oxidación térmica? El proceso de oxidación térmica se utiliza en la fabricación de semiconductores para generar una capa de dióxido de silicio (SiO₂) en la superficie de las obleas. Se divide en oxidación húmeda y oxidación seca, y se utiliza principalmente en la fabricación de chips para crear capas aislantes como capas de óxido de puerta, capas de óxido de campo, capas de aislamiento STI o capas de pasivación protectora.