El cloro se añade generalmente en el proceso de oxidación térmica para mejorar la eficiencia de la eliminación de contaminantes. Su presencia ayuda a descomponer compuestos orgánicos y a oxidar sustancias nocivas, facilitando su conversión en productos menos dañinos. Además, el cloro puede actuar como un agente desinfectante, eliminando microorganismos y mejorando la calidad del aire o del agua tratada.
Tiempo de liberación:
2025-01-06
¿Cuál es el proceso de oxidación térmica?
El proceso de oxidación térmica se utiliza en la fabricación de semiconductores para generar una capa de dióxido de silicio (SiO₂) en la superficie del wafer. Se divide en oxidación húmeda y oxidación seca, y se utiliza principalmente en procesos de chips para crear capas de aislamiento como capas de óxido de puerta, capas de óxido de campo, capas de aislamiento STI o capas de pasivación protectora.
¿Qué es DCE?
DCE se refiere a trans-1,2-dicloroetileno, un compuesto orgánico clorado con la fórmula química C2H4Cl2, que es la sustancia que proporciona cloro en el proceso de cloración de oxidación térmica.
Además de DCE, sustancias tempranas como el gas cloro, el tricloroetileno (TCE), el 1,1,1-tricloroetano (TCA) y el HCl también podrían usarse como sustancias de cloración. Sin embargo, el TCE es un carcinógeno y ya no se utiliza, y el TCA puede dañar la capa de ozono, por lo que el HCl y el DCE se utilizan más comúnmente como sustancias de cloración.
¿Cuál es el papel del cloro en el proceso de oxidación térmica?
1. Aumentar la velocidad de oxidación, lo que puede incrementar la tasa de oxidación en un 10% a 15%.
2. Pasivar iones móviles, especialmente Na+ y K+. Los iones de sodio y potasio se mueven a la superficie del wafer de silicio bajo la influencia de un campo eléctrico, afectando las propiedades eléctricas y llevando a la inestabilidad del dispositivo. La cloración puede fijar iones móviles y prevenir su movimiento.
3. Neutralizar cargas en la interfaz Si-SiO2, reduciendo defectos en la capa de óxido.
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